一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置

摘要

一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置，主要解决现有半导体基片在传片时的移动一定程度上会使基片表面存在颗粒增多等问题，本发明提供一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置，该工艺方法是在中低真空室内，使半导体基片位于可移动的载基片台，对其通过上部来气方式吹扫，环载物台四周回风抽气的方式，通过控制吹气种类，通气流量及载物台位置来降低半导体基片在传片过程中颗粒的工艺方法,一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置,该装置包括载物台，出气孔，回气孔。本发明的工艺方法及装置可有效地降低基片在传片时表面的颗粒，提高工艺性能和器件的成品率。

主权项

一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，其特征在于,具体实现步骤如下：半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积，此时载物台位于工艺位置，当沉积结束后，载物台会升至吹扫位置，使载物台载物面处于回气孔的上方，同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫；所述吹扫气体为N₂、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合，并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。