半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一鳍状结构以及一浅沟隔离围绕鳍状结构，且鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后去除部分浅沟隔离，暴露出鳍状结构的上半部，再对鳍状结构的上半部进行一氧化制作工艺，将上半部分隔为一第一上半部以及一第二上半部并形成一氧化层于第一上半部周围。

主权项

一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一鳍状结构以及一浅沟隔离围绕该鳍状结构，该鳍状结构包含一上半部以及一下半部；去除部分该浅沟隔离并暴露出该鳍状结构的该上半部；以及对该鳍状结构的该上半部进行一氧化制作工艺，将该上半部分隔为一第一上半部以及一第二上半部并形成一氧化层于该第一上半部周围。