| 发明名称 |
一种绝缘材料的制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种绝缘材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：称料；烘干活性硅微粉；按照环氧树脂、稀释剂、阻燃剂、活性硅微粉的顺序依次加到反应釜；升温至80℃，在－0.1Mpa真空下脱气拌和料20分钟；冷却到40℃以下，加入固化剂，保持温度不超过50℃，脱气真空度0.1Mpa，搅拌；浇注；其生产出的绝缘材料热塑性高、使用寿命长且耐霉变。 |
| 申请公布号 |
CN106479118A |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
| 申请号 |
CN201510544861.0 |
申请日期 |
2015.08.31 |
| 申请人 |
邱晓霞 |
发明人 |
邱晓霞 |
| 分类号 |
C08L63/00(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08G59/40(2006.01)I |
主分类号 |
C08L63/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种绝缘材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：称料；烘干活性硅微粉；按照环氧树脂、稀释剂、阻燃剂、活性硅微粉的顺序依次加到反应釜；升温至80℃，在－0.1Mpa真空下脱气拌和料20分钟； 冷却到40℃以下，加入固化剂，保持温度不超过50℃，脱气真空度0.1Mpa，搅拌；浇注。 |
| 地址 |
610000 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |
