发明名称 |
レジスト形状におけるクリティカルディメンション及びラフネスの制御方法及び制御システム |
摘要 |
A method of treating a photoresist relief feature having an initial line roughness and an initial critical dimension. The method may include directing ions toward the photoresist in a first exposure at a first angular range and first dose rate and a that is configured to reduce the initial line roughness to a second line roughness. The method may also include directing ions toward the photoresist relief feature in a second exposure at a second ion dose rate greater than the first dose rate, wherein the second ion dose rate is configured to swell the photoresist relief feature. |
申请公布号 |
JP6091490(B2) |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
JP20140509322 |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド |
发明人 |
ルドヴィック ゴデ;クリストファー ジェイ リーヴィット;ジョセフ オルソン;パトリック エム マーティン |
分类号 |
H01L21/027 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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