发明名称 |
一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域;本方法采用乙醇溶剂热法,通过共沉淀结晶技术,在温和条件下利用硫粉、氯化亚铜和醋酸锌之间的化学反应,通过调控无机盐的用量比例实现掺杂原子在晶格中的均衡分布,最终获得Zn掺杂的超晶格纳米花。制备的Zn掺杂的CuS超晶格纳米花具有结晶完整性高、单分散、花的形貌完美等优点,其强烈的光电子响应特性适合作为光电子器件的响应材料。该制备方法操作简便,使用原料成本低廉,无需使用任何化学添加剂,无任何毒害副产物,环境友好,便于工业化生产获得高附加值的产品。 |
申请公布号 |
CN105271360B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201510708604.6 |
申请日期 |
2015.10.28 |
申请人 |
许昌学院 |
发明人 |
高远浩;王培培;李品将;张校飞;雷岩;郑直 |
分类号 |
C01G3/12(2006.01)I |
主分类号 |
C01G3/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 |
代理人 |
柴淑芳 |
主权项 |
一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料,其特征在于:Zn掺杂的CuS超晶格纳米花,其元素组成为Zn<sub>0.49</sub>Cu<sub>0.51</sub>S,属于六方晶相,具有单分散的花的微形貌和内在的超晶格结构。 |
地址 |
461000 河南省许昌市魏都区八一路88号 |