发明名称 一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域;本方法采用乙醇溶剂热法,通过共沉淀结晶技术,在温和条件下利用硫粉、氯化亚铜和醋酸锌之间的化学反应,通过调控无机盐的用量比例实现掺杂原子在晶格中的均衡分布,最终获得Zn掺杂的超晶格纳米花。制备的Zn掺杂的CuS超晶格纳米花具有结晶完整性高、单分散、花的形貌完美等优点,其强烈的光电子响应特性适合作为光电子器件的响应材料。该制备方法操作简便,使用原料成本低廉,无需使用任何化学添加剂,无任何毒害副产物,环境友好,便于工业化生产获得高附加值的产品。
申请公布号 CN105271360B 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201510708604.6 申请日期 2015.10.28
申请人 许昌学院 发明人 高远浩;王培培;李品将;张校飞;雷岩;郑直
分类号 C01G3/12(2006.01)I 主分类号 C01G3/12(2006.01)I
代理机构 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 代理人 柴淑芳
主权项 一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料,其特征在于:Zn掺杂的CuS超晶格纳米花,其元素组成为Zn<sub>0.49</sub>Cu<sub>0.51</sub>S,属于六方晶相,具有单分散的花的微形貌和内在的超晶格结构。
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