发明名称 |
场效应二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种场效应二极管及其制备方法,该场效应二极管依次包括:基片,成核层,缓冲层,背势垒层,沟道层,第一势垒层,第二势垒层,第二势垒层上形成有凹槽,阳极和阴极,阴极为欧姆接触电极,阳极为复合结构:由欧姆接触电极、以及位于所述凹槽中且与欧姆接触电极相短接的肖特基电极组成。其中第一势垒层与背势垒层有相近的组分含量,第二势垒层与第一势垒层的组分含量不同,第二势垒层晶格常数比第一势垒层的晶格常数小。本发明中场效应二极管具有较小的正向导通压降、较小的反向漏电流、及较大的击穿电压。 |
申请公布号 |
CN104241400B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201410452104.6 |
申请日期 |
2014.09.05 |
申请人 |
苏州捷芯威半导体有限公司 |
发明人 |
陈洪维 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
代理人 |
吴开磊 |
主权项 |
一种场效应二极管,其特征在于,所述场效应二极管包括:基片;位于所述基片上的成核层;位于所述成核层上的缓冲层;位于所述缓冲层上的背势垒层;位于所述背势垒层上的沟道层;位于所述沟道层上的第一势垒层;位于所述第一势垒层上的第二势垒层,所述第二势垒层上形成有凹槽;位于所述第二势垒层上的阳极和阴极,所述阴极为欧姆电极,所述阳极为复合结构,阳极由欧姆电极、以及位于所述凹槽中且与欧姆电极相短接的肖特基电极组成;所述背势垒层、第一势垒层和第二势垒层的材料为AlGaN,沟道层的材料为GaN,所述背势垒层和第一势垒层中的Al组分含量相等或相差不超过5%,所述第二势垒层中的Al组分含量高于背势垒层和第一势垒层的Al组分含量。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23栋214室 |