| 发明名称 | 场效应晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了FET结构，FET结构包括具有顶面的第一导电类型的衬底，在顶面上方的第一栅极，在衬底中的第二导电类型的源极和漏极，以及在第一栅极下方的第一沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第一沟道从第一栅极的一端至第一栅极的另一端测量的双高斯峰。在一些实施例中，FET结构还包括在顶面上方的第二栅极和在第二栅极下方的第二沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第二沟道从第二栅极的一端至第二栅极的另一端测量的单高斯峰。本发明实施例涉及场效应晶体管结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106486548A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610597456.X | 申请日期 | 2016.07.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 朱馥钰;郑志昌;柳瑞兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种FET结构，包括：第一导电类型的衬底，具有顶面；第一栅极，在所述顶面上方；第二导电类型的源极和漏极，在所述衬底中；以及第一沟道，在所述第一栅极下方，其中，第一导电类型的掺杂剂浓度包括在所述顶面之下小于200nm处沿着所述第一沟道从所述第一栅极的一端至所述第一栅极的另一端测量的双高斯峰。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||