| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件具有：设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过凸状态的第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在第一导电层之上的第二绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106486479A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610728317.6 | 申请日期 | 2016.08.25 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 高桥幸雄;松浦仁 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 陈伟;闫剑平 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具有：具有主表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在所述半导体衬底上并以包围所述凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过所述凸状态的所述第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在所述第一导电层之上的第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||