高密度SIP封装结构

摘要

本实用新型涉及一种高密度SIP封装结构，其中包括第一基岛、第二基岛和导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。采用该种结构的高密度SIP封装结构，隔离排布多颗功率MOS管和主控芯片，充分利用封装体的纵向空间，大大提升集成电路的封装密度，提升封装结构的散热性能，可以有效应用于各种需要MCU主控芯片封装结构的场景，具有更广泛的应用范围。

主权项

一种高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的封装结构包括第一基岛、第二基岛和导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。