| 发明名称 | 纹理形成用蚀刻液及使用其的纹理形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法，所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理，在通常的使用温度即60℃～95℃的区域中添加剂成分也不会挥发，适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液，其含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN104584232B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201380042594.6 | 申请日期 | 2013.07.29 |
| 申请人 | 第一工业制药株式会社 | 发明人 | 中川和典;气贺泽繁;桥本贺之 |
| 分类号 | H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种蚀刻液，其特征在于，其是使硅基板表面形成凹凸的蚀刻液，其含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)分子内具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物，所述碱成分(A)、所述膦酸衍生物或其盐(B)和所述化合物(C)的配混比例以质量比计为A/(B+C)＝0.1～10的范围内。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||