| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的一种形态的发光二极管，包括：第一导电型覆盖层；光散射图案，位于所述第一导电型覆盖层内，且折射率与所述第一导电型覆盖层的折射率不同；活性层，位于所述第一导电型覆盖层下部；第二导电型覆盖层，位于所述活性层下部；第一电极，电连接于所述第一导电型覆盖层上；第二电极，电连接于所述第二导电型覆盖层上。借助于光散射图案而可以改善光提取效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104011886B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201280064137.2 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 任台爀;金彰渊;尹余镇;李俊熙;南基范;金多慧;任昶翼;金永郁 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 孙昌浩;韩明花 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括：第一导电型覆盖层；光散射图案，位于所述第一导电型覆盖层内，且折射率与所述第一导电型覆盖层的折射率不同；活性层，位于所述第一导电型覆盖层下部；第二导电型覆盖层，位于所述活性层下部；第一电极，电连接于所述第一导电型覆盖层上；第二电极，电连接于所述第二导电型覆盖层上，其中，由所述光散射图案所定义的开口部的宽度在与所述第一电极重叠的区域内比并不与所述第一电极重叠的区域更小。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||