| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有Cu合金芯材和在其表面形成的Pd被覆层的半导体装置用接合线，谋求提高175℃～200℃的HTS中的球接合部的接合可靠性和使耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过使线中含有总计为0.03～2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt中的1种以上，来提高HTS中的球接合部的接合可靠性，进而，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，使线长度方向的晶体取向之中、相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向<100>的取向比率为50％以上，且与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面中的平均结晶粒径为0.9～1.3μm，由此使耐力比为1.6以下。 | ||
| 申请公布号 | CN106489199A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201580002424.4 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 | 发明人 | 山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;斋藤和之;宇野智裕 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;B60B35/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，所述接合线包含选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度总计为0.03～2质量％，在对与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，线长度方向的晶体取向之中，相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向<100>的取向比率为50％以上，与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面中的平均结晶粒径为0.9～1.3μm。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||