制造半导体器件的方法

摘要

制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；在所述鳍型有源区的顶表面和两个侧壁上形成栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包含高k电介质膜，所述高k电介质膜相比硅氧化物膜和硅氮化物膜具有更高的相对介电常数；在所述栅绝缘膜上形成含金属层；在所述含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；从所述硅覆盖层去除所述硅覆盖层中的所述氢原子的一部分；去除所述硅覆盖层和至少一部分所述含金属层；以及在所述栅绝缘膜上形成栅电极，所述栅电极在所述鳍型有源区的所述顶表面和所述两个侧壁上延伸。