发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
提供易于耐压结构部的小型化的半导体装置。该半导体装置具备形成在半导体基板的正面侧的有源区和耐压结构部,耐压结构部具备:保护环,以包围有源区的方式设置在半导体基板的正面侧;第一场板,设置于保护环的正面侧;电极部,设置于第一场板的正面侧;第二场板,设置在第一场板与电极部之间;导电连接部,将第一场板、电极部、第二场板和保护环相互电连接。 |
申请公布号 |
CN106489208A |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201680001880.1 |
申请日期 |
2016.01.29 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
加藤由晴;高桥英纪 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
金玉兰;王颖 |
主权项 |
一种半导体装置,具备形成在半导体基板的正面侧的有源区和耐压结构部,其特征在于,所述耐压结构部具备:保护环,以包围所述有源区的方式设置在所述半导体基板的正面侧;第一场板,设置于所述保护环的正面侧;电极部,设置于所述第一场板的正面侧;第二场板,设置在所述第一场板与所述电极部之间;导电连接部,将所述第一场板、所述电极部、所述第二场板和所述保护环相互电连接,其中,所述第二场板的侧蚀量比所述电极部的侧蚀量小。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |