一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管

摘要

一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管，属于LED生产应用技术领域，在铜基板衬底的一侧设置n面扩展电极，另一侧依次设置键合层、金反射镜层、氧化铟锡透明导电层、p‑GaP电流扩展层、p‑AlGaInP限制层、MQW有源层、n‑AlGaInP限制层和n‑AlGaInP粗化层，n‑GaAs欧姆接触层设置在部分n‑AlGaInP粗化层上。P‑GaP电流扩展层与氧化铟锡透明导电层形成良好的欧姆接触，金反射镜层可以将更多的光子反射回来，粗化的n‑AlGaInP层可减少光子的全反射，增加出光效率，大幅提升发光二极管的发光强度。

主权项

一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管，包括衬底，在衬底的一侧设置n面扩展电极，在衬底的另一侧设置键合层、p‑GaP 电流扩展层、p‑AlGaInP 限制层、MQW 有源层、n‑AlGaInP 限制层、n‑AlGaInP粗化层、n‑GaAs 欧姆接触层、p面扩展电极层和 p电极；其特征在于还包括氧化铟锡透明导电层和金反射镜层，在所述衬底的另一侧上依次设置键合层、金反射镜层、氧化铟锡透明导电层、p‑GaP 电流扩展层、p‑AlGaInP 限制层、MQW 有源层、n‑AlGaInP 限制层和n‑AlGaInP粗化层，所述n‑GaAs 欧姆接触层设置在部分n‑AlGaInP粗化层上，所述p面扩展电极层设置在所述n‑GaAs 欧姆接触层上，p电极设置在部分p面扩展电极层上；所述衬底为厚度为150～200μm的铜基板。