发明名称 抵抗スイッチングのための高感度磁性制御ヘテロ接合デバイス
摘要 The present invention discloses highly sensitive magnetic heterojunction device consisting of a composite comprising ferromagnetic (La0.66Sr0.34MnO3) LSMO layer with ultra-thin ferrimagnetic CoFe2O4 (CFO) layer capable of giant resistive switching (RS) which can be tuned at micro tesla magnetic field at room temperature.
申请公布号 JP6092856(B2) 申请公布日期 2017.03.08
申请号 JP20140516458 申请日期 2012.06.25
申请人 カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ 发明人 サティーシュチャンドラ、バルクリシュナ、オーガル;ダイパンカー、ダス、サルマ;アビマニュ、シン、ラナ;ビシャール、プラバカール、タカール;アニル、クマール、プリー
分类号 H01L43/08;G01R33/09;H01F10/16;H01F10/18;H01F10/30;H01F41/20;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/10 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人
主权项
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