薄膜晶体管

摘要

一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm²/Vs以上的极高的迁移率。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护所述氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，所述氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且各金属元素相对于所述In、Ga及Sn的总量的原子数比满足全部下述式(1)～(3)，所述蚀刻阻挡层和所述保护膜中的两者或一者包含SiNx，0.30≤In/(In+Ga+Sn)≤0.50   …(1)0.20≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30   …(2)0.25≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.45   …(3)。