| 发明名称 | 三维晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种三维晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有源区和隔离结构，所述隔离结构位于所述有源区两侧；在所述有源区和所述隔离结构上形成光刻胶层；在所述光刻胶层形成开口，所述开口暴露所述有源区的顶部，并且所述开口还同时暴露所述有源区两侧隔离结构的第一部分顶部，所述第一部分顶部的宽度为第一宽度；以所述光刻胶层为掩模，沿所述开口对被所述开口暴露的所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至形成位于所述有源区两侧的凹槽，被所述凹槽暴露的所述有源区作为鳍部。所述形成方法能够简化三维晶体管的制作工艺，降低制作三维晶体管的工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106486364A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510526717.4 | 申请日期 | 2015.08.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 林新元;靳颖 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种三维晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有源区和隔离结构，所述隔离结构位于所述有源区两侧；在所述有源区和所述隔离结构上形成光刻胶层；在所述光刻胶层形成开口，所述开口暴露所述有源区的顶部，并且所述开口还同时暴露所述有源区两侧隔离结构的第一部分顶部，所述第一部分顶部的宽度为第一宽度；以所述光刻胶层为掩模，沿所述开口对被所述开口暴露的所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至形成位于所述有源区两侧的凹槽，被所述凹槽暴露的所述有源区作为鳍部。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||