| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成III-V族半导体材料层；对所述III-V族半导体材料层进行氮化处理，直至部分厚度的所述III-V族半导体材料层形成氮化物层；在所述氮化处理后，在所述氮化物层上形成栅介质层。所述半导体结构的形成方法提高所形成的半导体结构性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106486357A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510552896.9 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成III‑V族半导体材料层；对所述III‑V族半导体材料层进行氮化处理，直至部分厚度的所述III‑V族半导体材料层形成氮化物层；在所述氮化处理后，在所述氮化物层上形成栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||