发明名称 |
一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法 |
摘要 |
本发明公开了一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法。该方法是在多孔硅制备完成后,立即将多孔硅薄膜浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解。一方面,由于在正常的恒电流密度的腐蚀条件下,随腐蚀深度的增加,多孔硅的多孔度沿纵向方向变大或折射率变小;另一方面,在使用NaOH溶液腐蚀和溶解多孔硅的过程中,在纵向方向上,腐蚀液的反应物向外扩散呈现一定梯度,越靠近多孔硅表面,NaOH溶液浓度越高,相反,离多孔硅表面越远,NaOH溶液浓度越小(腐蚀反应物越多),导致沿纵向方向上越向下腐蚀与溶解能力越弱。在一定条件下,二者达到动态平衡,使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致性,增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性,改善了多孔硅薄膜纵向物理结构的均匀性。 |
申请公布号 |
CN106486356A |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201610977289.1 |
申请日期 |
2016.11.08 |
申请人 |
湖南文理学院 |
发明人 |
龙永福 |
分类号 |
H01L21/3063(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3063(2006.01)I |
代理机构 |
常德市源友专利代理事务所 43208 |
代理人 |
易炳炎 |
主权项 |
一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法,其特征在于,在室温条件下,在多孔硅制备完成后,立即将多孔硅浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解,在多孔硅厚度为0.1‑100μm范围内,腐蚀与溶解的处理时间是0.5‑120min。 |
地址 |
415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道3150号 |