半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在第三区域的基底上、第一区域的层间介质层顶部表面、第一伪栅顶部表面、第二区域的层间介质层顶部表面以及第二金属栅极顶部表面形成第一掩膜层；在第二金属栅极上方的第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；在第三区域的基底上形成图形层；以图形层为掩膜，刻蚀去除位于第一区域的第一掩膜层以及第一伪栅，在第一区域的层间介质层内形成第一开口，在形成第一开口的过程中第二区域的第二掩膜层被刻蚀、且第二金属栅极顶部表面被第一掩膜层覆盖；去除位于第二金属栅极顶部表面的第一掩膜层；形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明提高了半导体器件的电学性能和可靠性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，所述第一区域部分基底上形成有第一伪栅，所述第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层，且所述层间介质层还覆盖于第一伪栅侧壁表面和第二金属栅极侧壁表面；在所述第三区域的基底上、第一区域的层间介质层顶部表面、第一伪栅顶部表面、第二区域的层间介质层顶部表面以及第二金属栅极顶部表面形成第一掩膜层；在所述第二金属栅极上方的第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；在所述第三区域的基底上形成图形层；以所述图形层为掩膜，刻蚀去除位于第一区域的第一掩膜层以及第一伪栅，在所述第一区域的层间介质层内形成第一开口，在形成第一开口的过程中所述第二区域的第二掩膜层被刻蚀、且所述第二金属栅极顶部表面被第一掩膜层覆盖；去除所述位于第二金属栅极顶部表面的第一掩膜层；形成填充满所述第一开口的第一金属栅极。