一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN量子阱层和在InGaN量子阱层上生长的量子垒层，量子垒层包括第一InGaN层以及在第一InGaN层上依次生长的AlGaN层和第二InGaN层。本发明通过上述方案，与InGaN量子阱层接触的为量子垒层中的第一InGaN层和第二InGaN层，三者材料相同，晶格失配度小，产生应力小，压电极化电场的作用弱，InGaN量子阱层和量子垒层的能带弯曲度变小，增强了对载流子的束缚能力，当注入大电流时，不会形成严重的漏电流。

主权项

一种GaN基发光二极管外延片，所述外延片包括衬底以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN量子阱层和在所述InGaN量子阱层上生长的量子垒层，其特征在于，所述量子垒层包括第一InGaN层以及在所述第一InGaN层上依次生长的AlGaN层和第二InGaN层；每个周期的所述第一InGaN层、所述AlGaN层和所述第二InGaN层均包括多个子层，每个周期的所述第一InGaN层中，各子层的In组分含量从下至上递减，每个周期的所述AlGaN层中，各子层的Al组分含量从下至上先递增后递减或者先递增后不变再递减，每个周期的所述第二InGaN层中，各子层的In组分含量从下至上递增；各周期的所述AlGaN层中，具有最大Al组分含量的子层的Al组分含量从下至上递减；或者，各周期的所述AlGaN层中，具有最大Al组分含量的子层的Al组分含量从下至上先递增后递减。