| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用能应用于1000℃左右的高温工艺的将支承基板与半导体晶片相粘接的方法的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法，包括如下工序：背面接合工序，在该背面接合工序中，将支承基板隔着陶瓷粘接剂层以及掩模与半导体晶片的背面相接合，以形成接合体；功能结构形成工序，在该功能结构形成工序中，在所述半导体晶片的正面形成功能结构；剥离工序，在该剥离工序中，去除所述陶瓷粘接剂层及所述掩模，将所述支承基板从所述半导体晶片剥离；以及背面处理工序，在该背面处理工序中，对所述半导体晶片的背面进行背面处理。 | ||
| 申请公布号 | CN104981889B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201480007989.7 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 立冈正明;中嶋经宏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 宋俊寅 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：背面接合工序，在该背面接合工序中，将支承基板隔着陶瓷粘接剂层以及掩模与半导体晶片的背面相接合，以形成接合体；功能结构形成工序，在该功能结构形成工序中，在所述半导体晶片的正面形成功能结构；剥离工序，在该剥离工序中，去除所述陶瓷粘接剂层及所述掩模，将所述支承基板从所述半导体晶片剥离；以及背面处理工序，在该背面处理工序中，对所述半导体晶片的背面进行背面处理。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||