发明名称 一种LED蓝宝石片复合衬底结构
摘要 本实用新型公开了一种LED蓝宝石片复合衬底结构,包括折射晶板、P型电极和碳化硅衬板,所述P型电极的下方安装有金属化电流扩展层,所述金属化电流扩展层的下方安装有P型GaN接触层,所述P型GaN接触层的下方安装有折射晶板,且折射晶板的外表面设置有折射面,所述折射晶板安装在GaN发光层上端,所述GaN发光层的下方安装有N型GaN接触层,所述N型GaN接触层的右端上方安装有N型电极,且GaN接触层的下方安装有低温GaN外延层,所述卡槽的内部安装有碳化硅衬板。本实用新型:其稳定性很好,且机械强度高,易于处理和清洗。同时所产生的热量可以通过碳化硅直接导出;光不会被电流扩散层的材料吸收,提高了出光效率。
申请公布号 CN206003798U 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201620986131.6 申请日期 2016.08.31
申请人 福建晶安光电有限公司 发明人 廖弘基;余剑云;陈华荣;刘乾坤
分类号 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I 主分类号 H01L33/02(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种LED蓝宝石片复合衬底结构,包括折射晶板(1)、P型电极(7)和碳化硅衬板(11),其特征在于:所述P型电极(7)的下方安装有金属化电流扩展层(8),所述金属化电流扩展层(8)的下方安装有P型GaN接触层(3),所述P型GaN接触层(3)的下方安装有折射晶板(1),且折射晶板(1)的外表面设置有折射面(13),所述折射晶板(1)安装在GaN发光层(2)上端,所述GaN发光层(2)的下方安装有N型GaN接触层(10),所述N型GaN接触层(10)的右端上方安装有N型电极(9),且GaN接触层(10)的下方安装有低温GaN外延层(4),所述低温GaN外延层(4)的下方安装有蓝宝石基板(12),且蓝宝石基板(12)的内部设置有卡槽,所述卡槽的内部安装有碳化硅衬板(11),所述蓝宝石基板(12)的下方安装有粘合材料(5),所述粘合材料(5)的下方安装有金属底座(6)。
地址 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园