通过等离子体CVD法形成的化学沉积膜

摘要

本发明的目的在于提供在有机物与无机物混杂的基材中对其两种物质的密合性高、且阻隔性高的气体阻隔膜的膜结构和制造方法。具体地说，提供一种化学沉积膜，其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子，该氧原子的浓度为10元素％～35元素％，该化学沉积膜是通过等离子体CVD法形成的；以及提供一种层积体，其具备：该化学沉积膜；包含硅原子和0元素％以上且小于10元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜；以及包含硅原子和超过35元素％且70元素％以下的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜，在化学沉积膜的一个面上层积有第2化学沉积膜和第3化学沉积膜。

主权项

一种层积体，其具备：化学沉积膜，其是通过等离子体CVD法形成的，该化学沉积膜包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子，该氧原子的浓度为10元素％～35元素％、硅原子的浓度为10元素％～30元素％、碳原子的浓度为10元素％～30元素％、氢原子的浓度为10元素％～50元素％；包含10元素％～30元素％的硅原子、30元素％～55元素％的氢原子、20元素％～35元素％的碳原子和0元素％以上且小于10元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜；和包含30元素％～35元素％的硅原子、5元素％以下的氢原子、0元素％的碳原子和60元素％～70元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜，在该化学沉积膜的一个面上层积有该第2化学沉积膜和该第3化学沉积膜，交替地形成两层以上的所述第2化学沉积膜和所述第3化学沉积膜。