| 发明名称 | 金属互联结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属互联结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有前层金属和覆盖所述前层金属的介质层；在所述介质层上形成接触孔和沟槽，所述接触孔底部暴露所述前层金属，所述接触孔与所述沟槽连通，所述沟槽位于所述接触孔上方；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成第一金属阻挡层；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成金属氮化物阻挡层，所述金属氮化物阻挡层覆盖所述第一金属阻挡层；在形成所述金属氮化物阻挡层后，在所述接触孔内和所述沟槽内填充满后层金属。所述形成方法提高所形成的金属互联结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106486416A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510555776.4 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘继全 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;吴敏 |
| 主权项 | 一种金属互联结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有前层金属和覆盖所述前层金属的介质层；在所述介质层上形成接触孔和沟槽，所述接触孔底部暴露所述前层金属，所述接触孔与所述沟槽连通，所述沟槽位于所述接触孔上方；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成第一金属阻挡层；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成金属氮化物阻挡层，所述金属氮化物阻挡层覆盖所述第一金属阻挡层；在形成所述金属氮化物阻挡层后，在所述接触孔内和所述沟槽内填充满后层金属。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||