| 发明名称 | 自对准背面深沟槽隔离结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了自对准背面深沟槽隔离结构。公开了一种像素传感器器件。器件包括浅沟槽隔离结构、阱区域和背面隔离结构。阱区域和二极管区域邻近浅沟槽隔离结构。背面隔离结构与浅沟槽隔离结构自对准并且布置在浅沟槽隔离结构上方。背面隔离结构邻近二极管区域。公开了浸没光刻布置以补偿浸没工具漂移。 | ||
| 申请公布号 | CN106486413A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510770342.6 | 申请日期 | 2015.11.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄益民;施俊吉;亚历山大·卡尔尼茨基 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种像素传感器器件，包括：浅沟槽隔离结构；二极管区域，至少部分地邻近所述浅沟槽隔离结构；阱区域，位于所述二极管区域内并且邻近所述浅沟槽隔离结构；以及背面隔离结构，与所述浅沟槽隔离结构自对准并且布置在所述浅沟槽隔离结构上方，所述背面隔离结构邻近所述二极管区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||