| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：块分隔器，包括半导体膜和多层绝缘膜，其中，多层绝缘膜围绕半导体膜；存储块层叠，通过块分隔器彼此分开，每个存储块层叠包括交替地层叠的层间绝缘膜和导电图案，其中，导电图案耦接到存储单元；以及通道结构，穿过存储块层叠并且电耦接到存储单元。 | ||
| 申请公布号 | CN106486487A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610121272.6 | 申请日期 | 2016.03.03 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李南宰 |
| 分类号 | H01L27/115(2017.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：块分隔器，包括半导体膜和多层绝缘膜，其中，多层绝缘膜围绕半导体膜；存储块层叠，通过块分隔器彼此分开，每个存储块层叠包括交替地层叠的层间绝缘膜和导电图案，其中，导电图案耦接到存储单元；以及通道结构，穿过存储块层叠并且电耦接到存储单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||