| 发明名称 | 具有衬层的鳍型场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。 | ||
| 申请公布号 | CN106486483A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610791568.9 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 成石铉;刘庭均;朴起宽;金基一 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖所述鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖所述鳍型有源区的下侧壁，其中所述多个衬层在所述器件隔离层和所述鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，在所述鳍型有源区的沟道区、所述多个衬层和所述器件隔离层上延伸，并包括位于所述栅绝缘层的覆盖所述多个衬层的部分上的突起。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||