一种制作半导体元件的方法

摘要

本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一第一区域以及一第二区域，然后形成一材料层于基底上，形成多个第一轴心体于第一区域及第二区域的材料层上，形成多个第一间隙壁于第一轴心体旁，形成一硬掩模于第一区域，修整第二区域的第一间隙壁，去除第一轴心体，利用第一间隙壁去除部分材料层以形成多个第二轴心体，形成多个第二间隙壁于第二轴心体旁，去除第二轴心体以及利用第二间隙壁去除部分基底以形成多个鳍状结构。

主权项

一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有第一区域以及第二区域；形成一材料层于该基底上；形成多个第一轴心体于该第一区域及该第二区域的材料层上；形成多个第一间隙壁于该多个第一轴心体旁；形成一硬掩模于该第一区域；修整该第二区域的该多个第一间隙壁；去除该多个第一轴心体；利用该多个第一间隙壁去除部分该材料层以形成多个第二轴心体；形成多个第二间隙壁于该多个第二轴心体旁；去除该多个第二轴心体；以及利用该多个第二间隙壁去除部分该基底以形成多个鳍状结构。