| 发明名称 | MOS晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种MOS晶体管。在本实用新型的MOS晶体管中，在源极与漏极之间的沟道区两侧表面上设置两个栅极，在沟道长度较小时仍然能够保持非常高的开关态电流比，提高MOS晶体管关闭状态特性，降低静态功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN206003781U | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201621030264.2 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 鸿之微科技（上海）有限公司 | 发明人 | 不公告发明人 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人 | 居瓅;李夫玲 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管包括源极(1)、漏极(3)、沟道区(2)、第一栅极(4)和第二栅极(5)；在位于所述源极(1)与所述漏极(3)之间的沟道区(2)的两侧表面上分别设置所述第一栅极(4)和所述第二栅极(5)，所述沟道区(2)为过渡金属硫族化合物。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金海路1000号金领之都31号楼6层 | ||