| 发明名称 | 晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种晶体管。在本实用新型的晶体管中，沟道层仅为一个过渡金属硫族化合物层，不但结构简单，而且在圆偏振光照射下能够产生高自旋极化率的自旋流，同时增加了栅极用来控制自旋流导通的源漏电压阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN206003779U | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201621023520.5 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 鸿之微科技（上海）有限公司 | 发明人 | 不公告发明人 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人 | 居瓅;李夫玲 |
| 主权项 | 一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括栅极(5)、源极(3)、漏极(4)、绝缘层(1)和沟道层(2)；所述栅极(5)和所述沟道层(2)分别位于所述绝缘层(1)的两侧，所述沟道层(2)仅为一个过渡金属硫族化合物层；所述源极(3)和所述漏极(4)分别位于所述沟道层(2)表面上的两端。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金海路1000号金领之都31号楼6层 | ||