发明名称 |
太阳能电池 |
摘要 |
讨论了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:在半导体基板的一个表面上的隧穿层;在所述隧穿层上的第一导电类型区域;在所述隧穿层上的第二导电类型区域;第一电极和第二电极,该第一电极连接到所述第一导电类型区域,该第二电极连接到所述第二导电类型区域。所述隧穿层包括第一部分和第二部分。所述第一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的至少一部分对应并且具有第一厚度。所述第二部分的至少一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的边界部分对应。所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。 |
申请公布号 |
CN105244389B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201510504761.5 |
申请日期 |
2015.07.06 |
申请人 |
LG电子株式会社 |
发明人 |
李基源;金基修;郑一炯;金真阿 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;在所述半导体基板的一个表面上的隧穿层;在所述隧穿层上的第一导电类型区域,该第一导电类型区域具有第一导电类型;在所述隧穿层上的第二导电类型区域,该第二导电类型区域具有第二导电类型;在所述隧穿层上的势垒区域,其中,所述势垒区域被设置在所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域之间的边界部分的至少一部分处;第一电极和第二电极,该第一电极连接到所述第一导电类型区域,该第二电极连接到所述第二导电类型区域,其中,所述隧穿层包括第一部分和第二部分,所述第一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的至少一部分对应并且具有第一厚度,所述第二部分的至少一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的所述边界部分对应,所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度,并且所述第二部分被设置为与所述势垒区域的至少一部分对应。 |
地址 |
韩国首尔 |