发明名称 一种芯片连晶缺陷识别方法
摘要 本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法,该发明主要用于在芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片;包括三个步骤:步骤一,对采集到的芯片图片进行模板匹配,定位出芯片的位置,根据芯片的位置,对图片进行截取;步骤二,对截取获得的图片进行预处理,增大芯片基体与背景的差别;步骤三、对经过预处理的图片进行分割,获取blob块,对blob块进行特征分析:首先以面积为基准判断出是否含连晶缺陷;对面积正常的blob块,获取其blob块最小外接矩形的中心点以及四边中点的位置,以中心点以及四边中点位置信息为基准识别blob块对应的芯片是否含连晶缺陷;本发明提供的芯片连晶缺陷方法在的识别率上有很大的提高。
申请公布号 CN104677914B 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201510104034.X 申请日期 2015.03.10
申请人 华中科技大学 发明人 贺松平;钟富强;李斌;徐鑫;李达;吴文超;邱园红;魏康
分类号 G01N21/88(2006.01)I 主分类号 G01N21/88(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 廖盈春
主权项 一种芯片连晶缺陷识别方法,其特征在于,所述识别方法具体如下:(1)采集排列有待识别芯片的图片并根据图片获取初始模板,以预设步长旋转初始模板,每旋转一次获取一个匹配模板,多次旋转初始模板直到遍历初始模板与拟识别的芯片之间在水平方向的角度差;其中,初始模板是指在所述图片上选取的一个旋平的合格芯片的图片;(2)获取初始模板的面积及其最小外接矩形的边长参数;获取所有模板的梯度方向,完成模板制作;(3)采用匹配模板的梯度方向对待识别的芯片图片进行模板匹配,获取匹配上的芯片在图片上的像素坐标;其中,像素坐标为芯片中心点坐标;(4)在所述待识别的图片上以芯片中心位置为中心,根据模板边长进行图片截取,获取独立的芯片基体图片;(5)对所述芯片基体图片进行预处理以增加芯片基体与背景的对比度;(6)对经过预处理的芯片基体图片采用灰度阈值分割方法进行图像分割,获取二值图像块;(7)以模板面积为基准对所述二值图像块进行识别:面积与模板面积匹配的二值图像块为合格二值图像块,面积与模板面积不匹配的二值图像块对应的芯片为含连晶缺陷的芯片;(8)以芯片在图片上的四边中点及中心点坐标的理想值为基准对合格二值图像块进行识别,通过比对芯片四边中点位置理想值与二值图像块最小外接矩形相应的四边中点位置实现:与理想值相比,最小外接矩形四边中点坐标与中心点坐标超出基准阈值范围的二值图像块所对应的芯片为含连晶缺陷的芯片;最小外接矩形四边中点坐标与中心点坐标在基准阈值范围内的二值图像块所对应的芯片为不含连晶缺陷的芯片。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号