基于忆阻器的一阶高通滤波电路

摘要

基于忆阻器的一阶高通滤波电路，所述一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路其特征在于：该电路由二极管1N4148、电容和电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC震荡电路。本新型提出了以一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路为基础，实现模拟电路中的滤波电路，比如一阶低通滤波器、二阶低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和全通滤波器，为研究有二极管文氏电桥组成的一阶广义忆阻器提供了一种简便的方法和电路。

主权项

基于忆阻器的一阶高通滤波电路，其特征在于：所述忆阻器由二极管1N4148文氏电桥电路和电容及电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC振荡电路；二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C₀两端电压为V₀，其数学模型为：$I_m=G_m{V}_m=2I_s{e}^{-{\mathrm{\rho V}}_0}\sinh \left({\mathrm{\rho V}}_m\right)$$\frac{{\mathrm{dV}}_0}{dt}=\frac{2I_s{e}^{-{\mathrm{\rho V}}_0}\cosh \left({\mathrm{\rho V}}_m\right)}{C_0}-\frac{V_0}{R_0{C}_0}-\frac{2I_s}{C_0}$其中，ρ＝1/(2nV_T)；I_s，n和V_T分别表示二极管反向饱和电流、发射系数和热电压，由此，可以推导出忆阻器的忆导表达式为所述基于忆阻器的一阶高通滤波电路由电阻，电容、忆阻器和运算放大器LF347BN(U3)组成，所述运算放大器LF347BN(U3)的负输入端通过忆阻器Rm3接运算放大器LF347BN(U3)的输出端，通过电阻Ri3接地，运算放大器LF347BN(U3)的正输入端通过电容C3和电容C4接高通滤波器的输入端，通过电阻R4接地，通过电容C4和电阻R5接运算放大器LF347BN(U3)的输出端，运算放大器LF347BN(U3)的正电源端接VCC，负电源端接VEE，根据高通滤波器电路结构得出以下关系式：设高通滤波器的传递函数为A_u(s)，输入电压为U_i3，输出电压为U_o3，运算放大器U3的正输入端的电压为A_up，根据运算电路“虚短”，“虚断”和拉普拉斯变换原则得出：当C₃＝C₄＝C，R₄＝R₅＝R时$G_m=\frac{2I_s{e}^{-{\mathrm{\rho V}}_0}\sinh \left({\mathrm{\rho V}}_m\right)}{V_m}$$A_u\left(s\right)=A_{up}\left(s\right)·\frac{{\left(sRC\right)}^2}{1+(3-{\stackrel{·}{A}}_{up})sRC+{\left(sRC\right)}^2}$${\stackrel{·}{A}}_{up}=1+R_{i3}{G}_m$$f_p=\frac{1}{2\pi RC}.$