正装覆晶LED芯片封装体及其应用

摘要

本实用新型公开了一种正装覆晶LED芯片封装体及其应用，该封装体包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，P电极及N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。本实用新型制程简单，导热性好，封装成本较低，可利于快速大量化生产。

主权项

一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，所述N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。