| 发明名称 | 一种检测接触孔过度刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种检测接触孔过度刻蚀的方法，包括：根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构；排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。 | ||
| 申请公布号 | CN104716067B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510126618.7 | 申请日期 | 2015.03.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于包括：根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构，其中所述特定比例为50％；排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||