发明名称 带有抑制器栅的阳极
摘要 抑制器栅被配置为邻近阳极以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电势,其中所述抑制器电势被进一步选择来使电子从所述抑制器栅到所述阳极。
申请公布号 CN104137218B 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201280070838.7 申请日期 2012.12.27
申请人 埃尔瓦有限公司 发明人 杰西·R·奇塔姆三世;菲利普·安德鲁·埃克霍夫;威廉·盖茨;罗德里克·A·海德;穆里尔·Y·伊什卡娃;乔丁·T·卡勒;内森·P·梅尔沃德;托尼·S·潘;罗伯特·C·皮特洛斯基;克拉伦斯·T·特格雷尼;大卫·B·塔克曼;查尔斯·惠特默;洛厄尔·L·伍德;维多利亚·Y·H·伍德
分类号 H01J1/02(2006.01)I 主分类号 H01J1/02(2006.01)I
代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠
主权项 一种用于场发射的方法,其包括:对抑制器和阳极之间的抑制器区域施加抑制器电场,其中所述抑制器电场被选择来对电子提供沿着指向远离所述抑制器区域中的所述阳极的方向的力;使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极;使所述第一成组的电子的至少一部分与所述阳极相互作用,其中所述第一成组的电子的所通过部分在所述阳极处形成电流;以及测定所述电流的属性;并且根据所述电流的测定属性改变所述抑制器电场。
地址 美国华盛顿州