| 发明名称 | 一种锗基纳米线沟道NMOS器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种锗基锗纳米线沟道N型MOSFET器件结构，其结构如下：一半绝缘锗基材料，一在半绝缘锗基材料上形成的N型掺杂的硅锗源漏底层、一在N型硅锗源漏底层上形成的N型掺杂的锗沟道材料层；一在锗沟道材料层上形成的N型掺杂的硅锗源漏顶层；一在锗纳米线材料层上形成的环栅介质层；一在氧化铝层上生长的环栅金属层；一在环栅金属层上沉积的栅金属电极；一在硅锗源漏顶层上形成的源漏金属电极。 | ||
| 申请公布号 | CN106486542A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201611071339.6 | 申请日期 | 2016.11.29 |
| 申请人 | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 | 发明人 | 刘丽蓉;王勇;丁超 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/775(2006.01)I |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人 | 曾秋梅 |
| 主权项 | 一种锗基纳米线沟道NMOSFET器件结构，包括如下：一半绝缘锗半导体材料衬底；一在半绝缘锗半导体材料上形成的N型掺杂的硅锗源漏底层；一在N型硅锗源漏底层上形成的不掺杂的锗沟道材料层；一在锗沟道材料层上形成的N型掺杂的硅锗源漏顶层；一在锗纳米线材料层上形成的环栅介质氧化铝层；一在氧化铝层上生长的环栅金属层；一在环栅金属层上沉积的栅金属电极；一在硅锗源漏顶层上形成的源漏金属电极。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室 | ||