| 发明名称 | 一种NANDFLASH编程的防干扰方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NANDFLASH编程的防干扰方法。该方法包括：对选中字线施加编程电压，未选中字线施加导通电压；对所述选中字线进行读操作，确定所述字线是否被编程成功；若所述读操作状态为编程失败，以设定步进值抬升当前编程电压值和导通电压值，返回执行所述读操作，直到所述读操作状态为编程成功为止。本发明实施例提供的一种NANDFLASH编程的防干扰方法，保证编程电压和导通电压之间合适的电压窗口，有效降低编程干扰和导通电压干扰。 | ||
| 申请公布号 | CN106486161A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510523078.6 | 申请日期 | 2015.08.24 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 潘荣华;贺元魁 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬;邓猛烈 |
| 主权项 | 一种NANDFLASH编程的防干扰方法，其特征在于，包括：对选中字线施加编程电压，未选中字线施加导通电压；对所述选中字线进行读操作，确定所述字线是否被编程成功；若所述读操作状态为编程失败，以设定步进值抬升当前编程电压值和导通电压值，返回执行所述读操作，直到所述读操作状态为编程成功为止。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||