半导体装置

摘要

本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。

主权项

一种半导体装置，具有：基板；第一氮化物半导体层，配置于所述基板的主面的上方；第二氮化物半导体层，配置于所述第一氮化物半导体层的上方；第三氮化物半导体层，配置于所述第二氮化物半导体层的上方；两个第四氮化物半导体层，配置于所述第三氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间，且彼此分离地配置；电流狭窄区域，是所述两个第四氮化物半导体层之间的区域；绝缘膜，配置于所述第三氮化物半导体层的上方，在所述电流狭窄区域的上方具有开口部；以及第一侧面和第二侧面，所述第二氮化物半导体层在该第一侧面和该第二侧面露出，所述第一侧面和所述第二侧面分别沿第一方向延伸，所述电流狭窄区域沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，具有：第一部；第二部，配置于作为所述第一部的一侧的所述第一侧面部；以及第三部，配置于作为所述第一部的另一侧的所述第二侧面部，所述第二部的宽度比所述第一部的宽度大，所述第二部的宽度比位于所述第二部的上方的所述绝缘膜的开口部的宽度大，所述第二部的两端由所述绝缘膜覆盖。