发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：氮化镓基板，具有多个贯通孔；氮化镓系半导体层叠结构体，位于所述基板上，并包含第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；及第一电极，通过氮化镓基板的多个贯通孔而电连接于所述第一导电型半导体层。据此，可提供晶体缺陷少且能够防止发光面积减少的发光二极管。

主权项

一种发光二极管，包括：氮化镓基板，具有多个第一贯通孔及第二贯通孔；氮化镓系半导体层叠结构体，位于所述氮化镓基板上，并包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层，并且所述第一导电型半导体层被布置为比所述第二导电型半导体层更靠近于所述氮化镓基板；及第一电极，通过所述多个第一贯通孔而电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，通过贯通所述氮化镓基板、第一导电型半导体层及活性层的所述第二贯通孔来电连接于所述第二导电型半导体层；以及反射件，位于所述第一电极及第二电极与所述氮化镓基板之间，其中，所述反射件延伸至所述多个第一贯通孔及第二贯通孔内部，以覆盖所述多个第一贯通孔及第二贯通孔的侧壁，所述反射件具有绝缘性，所述第一电极和所述第二电极在所述反射件上彼此分离。