发明名称 一种X射线传感器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种X射线传感器,X射线传感器包括多个X射线传感器像素单元,每个X射线传感器像素单元包括:本征半导体层100;分别位于本征半导体层100的相对的表面上的第一类型掺杂层110和第二类型掺杂层120,其中第一类型掺杂层110的外轮廓为正六边形;位于第一类型掺杂层110上的电极层106;覆盖电极层106的钝化层108;位于电极层106上的钝化层108中的焊接柱130;其中,多个X射线传感器像素单元规则排列,且呈蜂窝阵列排列,相邻的X射线传感器像素单元的第一类型掺杂层110等间隔且错位非正交排列。本发明的传感器较传统的矩形像素具有更大的像素密度,且探测像素的性能更加均匀。
申请公布号 CN106486501A 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201510536889.X 申请日期 2015.08.27
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人 洪余节;党丽
主权项 一种X射线传感器,其特征在于,包括多个X射线传感器像素单元,每个X射线传感器像素单元包括:本征半导体层;分别位于本征半导体层的相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层,其中,第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形;位于第一类型掺杂层上的电极层;覆盖电极层的钝化层;位于电极层上的焊接柱;其中,多个X射线传感器像素单元规则排列,且呈蜂窝阵列排列,相邻的X射线传感器像素单元的第一类型掺杂层等间隔且错位非正交排列。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号