鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供有离子注入区和非离子注入区的半导体衬底，离子注入区的半导体衬底具有鳍部；形成位于鳍部两侧的半导体衬底表面的过渡隔离结构，过渡隔离结构的整个表面低于鳍部的顶部表面且高于待形成的目标隔离结构表面；形成过渡隔离结构后，形成覆盖非离子注入区的离子注入阻挡层，离子注入阻挡层暴露整个离子注入区；以离子注入阻挡层为掩膜，采用第二离子注入在离子注入区的过渡隔离结构中注入第二离子，且使得第二离子扩散进入过渡隔离结构侧部的鳍部中；然后去除离子注入阻挡层；去除离子注入阻挡层后，去除部分过渡隔离结构，形成目标隔离结构。采用所述方法形成的鳍式场效应晶体管的性能优越。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底具有离子注入区和非离子注入区，所述离子注入区的半导体衬底表面具有鳍部；所述离子注入区的半导体衬底表面待形成目标隔离结构；形成位于鳍部两侧的半导体衬底表面的过渡隔离结构，所述过渡隔离结构的整个表面低于鳍部的顶部表面且高于目标隔离结构的表面；形成过渡隔离结构后，形成覆盖非离子注入区的离子注入阻挡层，所述离子注入阻挡层暴露出整个离子注入区；以所述离子注入阻挡层为掩膜，采用第二离子注入在离子注入区的过渡隔离结构中注入第二离子，且使得第二离子扩散进入过渡隔离结构侧部的鳍部中；第二离子注入后，去除所述离子注入阻挡层；去除所述离子注入阻挡层后，去除部分厚度的过渡隔离结构，形成目标隔离结构。