一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置

摘要

一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，主要解决现有半导体基片在成膜后的工艺过程中基片表面存在颗粒增多等问题，本发明提供一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，该工艺方法是在半导体基片成膜工艺后增加气体吹扫来降低颗粒的方法，所述方法为中低真空腔室内，在基片成膜后的工艺程序中，使载物台位于不同的位置同时进行气体吹扫，从而降低颗粒的工艺方法,一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的装置,该装置包括载物台，出气孔，回气孔。本发明的工艺方法及装置可有效地降低基片成膜后表面的颗粒，提高工艺性能和器件的成品率。

主权项

一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法，其特征在于，具体实现步骤如下：半导体基片成膜之后，在中低真空腔室内，对半导体基片的气体吹扫，分为两个阶段，第一阶段将载物台置于工艺位置，向腔室内通入吹扫气体，吹扫5‑60s；第二阶段将载物台降到工艺位置之下35‑55mm，向腔室内通入吹扫气体，吹扫5‑60s；所述吹扫气体为He，O₂，Ar，N₂中的一种或者几种的气体组合，并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。