发明名称 半導体装置の作製方法
摘要 A semiconductor device having reliable electrode contacts. First, an interlayer dielectric film is formed from a resinous material. Then, window holes are formed. The interlayer dielectric film is recessed by oxygen plasma. This gives rise to tapering window holes. This makes it easy to make contacts even if the circuit pattern is complex.
申请公布号 JP6089374(B2) 申请公布日期 2017.03.08
申请号 JP20150107454 申请日期 2015.05.27
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;福永 健司;須澤 英臣;廣末 美佐子
分类号 H01L21/768;H01L21/336;H01L23/522;H01L23/532;H01L29/786 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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