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resumo transistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricação a presente invenção refere-se a transistor soi mosfet (silicon on insulator metal oxide semiconductor field effect transistor) e a seu método de fabricação a partir de uma lâmina soi. o método de fabricação do transistor compreende as seguintes etapas: a. ajuste da espessura da lâmina; b. seleção da região ativa da lâmina; c. corrosão completa da camada de óxido de silício superior; d. formação do óxido de porta; e. deposição do metal de porta; f. definição do eletrodo de porta; g. obtenção do eletrodo metálico nas regiões de fonte e dreno; h. deposição de metal na superfície inferior do substrato; i. sinterização do dispositivo; o transistor é composto por: eletrodo de porta (5), fonte (6), dreno (7), isolante de porta (4) e isolante enterrado (2), eletrodo de substrato (8), camada de silício (3), semicondutor (1). como no método de fabricação não há uma etapa para inserção de impurezas que determinam o tipo de portador de carga majoritário (elétrons ou lacunas) que formaria a fonte/dreno, existe a possibilidade de criar uma camada contendo um ou outro tipo de portador dependendo da tensão aplicada no substrato. |
