| 摘要 |
【課題】シリサイドの高抵抗化を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】シリコンの半導体ウェハーの表面には金属膜が成膜されている。その半導体ウェハーがチャンバー内に収容された後、チャンバー内が大気圧よりも低い気圧Ｐ１にまで減圧される。その後、チャンバー内に窒素ガスを供給して常圧Ｐｓにまで復圧し、半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射して金属膜とシリコンとの化合物であるシリサイドを形成する。チャンバー内を一旦大気圧よりも低い気圧Ｐ１に減圧してから復圧しているため、シリサイド形成処理を実行するときのチャンバー内の酸素濃度を顕著に低くすることができ、チャンバー内雰囲気中の酸素が金属膜と基材との界面近傍の欠陥に入り込むことに起因したシリサイドの高抵抗化を抑制することができる。【選択図】図１０ |
