发明名称 |
半導体装置 |
摘要 |
縦型トランジスタであるSurrounding Gate Transistor(SGT)を用いて、CMOS3入力NOR回路を構成する半導体装置を小さい面積で提供する。1列に配置された6個のMOSトランジスタを用いて構成された3入力NOR回路において、前記NOR回路を構成するMOSトランジスタは、基板上に形成された平面状シリコン層上に形成され、ドレイン、ゲート、ソースが垂直方向に配置され、ゲートがシリコン柱を取り囲む構造を有し、前記平面状シリコン層は第1の導電型を持つ第1の活性化領域と第2の導電型を持つ第2の活性化領域からなり、それらが平面状シリコン層表面に形成されたシリコン層を通して互いに接続されることにより小さい面積のNOR回路を構成する半導体装置を提供する。 |
申请公布号 |
JPWO2015019470(A1) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
申请号 |
JP20140536012 |
申请日期 |
2013.08.08 |
申请人 |
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. |
发明人 |
舛岡 富士雄;浅野 正通 |
分类号 |
H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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