| 摘要 |
ＩＧＢＴ（５０）は、ｐ＋コレクタ領域（３）およびｎ−−ドリフト領域（１）を備えており、ｎ−−ドリフト領域（１）上に第１トランジスタ（ＴＲ１）および第２トランジスタ（ＴＲ２）が形成されたものである。ｎ−−ドリフト領域（１）には、ｐ型の正孔引き抜き領域（１４）が第２トランジスタ（ＴＲ２）と接して形成されている。ＩＧＢＴ（５０）がオン状態のときに、第１トランジスタ（ＴＲ１）を通して電子および正孔が流れるが、第２トランジスタ（ＴＲ２）を通して電流が流れない。一方、ＩＧＢＴ（５０）がオン状態からオフ状態に切り替わったとき、第１トランジスタ（ＴＲ１）を通して正孔が流れ、正孔引き抜き領域（１４）および第２トランジスタ（ＴＲ２）を通して正孔が流れる。 |
